大家知道碳化硅陶瓷有哪三種制備方法嗎？下面就來為大家來具體介紹一下。
　　一是反應碳化硅陶瓷，反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右，通過氣相與C反應生成。
　　二是熱壓碳化硅陶瓷，雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密，但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類：一類與碳化硅中的雜質形成液相，通過液相促進燒結；一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。
　　三是常壓碳化硅陶瓷，常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅，在燒結到2100度以上的溫度下，生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。
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